专利详情

专利名称	基于微结构栅绝缘层的压力传感器及其制备方法
申请号	CN201310397699.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103490010A	公开（授权）日	2014.01.01
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	潘革波;王凤霞
主分类号	H01L51/05(2006.01)I	IPC主分类号	H01L51/05(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I;G01L1/16(2006.01)I;B82Y15/00(2011.01)I
专利有效期	基于微结构栅绝缘层的压力传感器及其制备方法至基于微结构栅绝缘层的压力传感器及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种基于微结构栅绝缘层的压力传感器包括依次设置的基底、有源层、栅绝缘层和柔性基底，其中，所述基底和有源层之间设置有源电极、漏电极，所述柔性基底和栅绝缘层之间设置有栅电极，所述栅绝缘层包括绝缘层以及所述绝缘层上的聚二甲基硅氧烷（PDMS）微结构，所述有源层为交联的半导体化合物纳米晶。本发明压力传感器包括栅电极、源电极、漏电极、栅绝缘层、有源层，其中，所述有源层为交联的有机半导体层材料的纳米晶，其通过有机半导体分子之间的相互作用力形成。上述压力传感器具有可溶液化制备、柔性、高灵敏性等特征。