专利详情

专利名称	半导体结构及其制造方法
申请号	CN201210192523.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103489779A	公开（授权）日	2014.01.01
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	朱慧珑;骆志炯;尹海洲;梁擎擎
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I
专利有效期	半导体结构及其制造方法至半导体结构及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种半导体结构及其制造方法，该方法包括提供衬底，在衬底上形成应力层，埋氧层，SOI层；在应力层中形成位于特定位置的应力层掺杂区；在SOI层上形成氧化物层和氮化物层，并刻蚀氮化物层、氧化物层、SOI层和埋氧层，停止于应力层上表面，形成至少暴露所述应力层掺杂区的一部分的第一沟槽；通过第一沟槽采用湿法刻蚀去除应力层掺杂区，形成空腔；向空腔中填充多晶硅并进行回刻蚀，形成应力层多晶硅区和第二沟槽；填充第二沟槽形成隔离区。本发明提供的半导体结构及其制造方法通过引入应力层以及根据器件类型设置在其中的特定位置的应力引发区，为半导体器件的沟道提供了有利应力，有助于提升半导体器件的性能。