InP基的无源线波导的光纤光斑转换耦合器及制备方法
- 申请号:CN201310424535.7
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院半导体研究所
- 公开(公开)号:CN103487883A
- 公开(公开)日:2014.01.01
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | InP基的无源线波导的光纤光斑转换耦合器及制备方法 | ||
| 申请号 | CN201310424535.7 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开(公告)号 | CN103487883A | 公开(授权)日 | 2014.01.01 |
| 申请(专利权)人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明(设计)人 | 吕倩倩;韩勤;崔荣;李彬;尹伟红;杨晓红 |
| 主分类号 | G02B6/136(2006.01)I | IPC主分类号 | G02B6/136(2006.01)I;G02B6/42(2006.01)I |
| 专利有效期 | InP基的无源线波导的光纤光斑转换耦合器及制备方法 至InP基的无源线波导的光纤光斑转换耦合器及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明提供一种InP基的无源线波导的光纤光斑转换耦合器及制备方法,所述InP基的无源线波导的光纤光斑转换耦合器,包括:一衬底;一下包层,其制作在衬底的中间部位,其形状为铲子形,一端为铲子的头部,另一端为柄部;铲形头部的前半部分为矩形结构,后半部分的宽度逐渐减小并对接到柄部;一芯层,其制作在下包层的上面,其形状与下包层一致;一上包层,其制作在芯层柄部的上面及铲子头部的后半部分,且其形状为条状结构。本发明可以解决边入射器件中与光纤耦合效率较低的问题。 | ||
交易流程
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专利 -
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