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InP基的无源线波导的光纤光斑转换耦合器及制备方法

  • 申请号:CN201310424535.7
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院半导体研究所
  • 公开(公开)号:CN103487883A
  • 公开(公开)日:2014.01.01
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 InP基的无源线波导的光纤光斑转换耦合器及制备方法
申请号 CN201310424535.7 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN103487883A 公开(授权)日 2014.01.01
申请(专利权)人 中国科学院半导体研究所 发明(设计)人 吕倩倩;韩勤;崔荣;李彬;尹伟红;杨晓红
主分类号 G02B6/136(2006.01)I IPC主分类号 G02B6/136(2006.01)I;G02B6/42(2006.01)I
专利有效期 InP基的无源线波导的光纤光斑转换耦合器及制备方法 至InP基的无源线波导的光纤光斑转换耦合器及制备方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明提供一种InP基的无源线波导的光纤光斑转换耦合器及制备方法,所述InP基的无源线波导的光纤光斑转换耦合器,包括:一衬底;一下包层,其制作在衬底的中间部位,其形状为铲子形,一端为铲子的头部,另一端为柄部;铲形头部的前半部分为矩形结构,后半部分的宽度逐渐减小并对接到柄部;一芯层,其制作在下包层的上面,其形状与下包层一致;一上包层,其制作在芯层柄部的上面及铲子头部的后半部分,且其形状为条状结构。本发明可以解决边入射器件中与光纤耦合效率较低的问题。

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