单斜相Ga2S3晶体的制备方法及其在光学上的应用
- 申请号：CN201210526093.2
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院福建物质结构研究所
- 公开(公开)号：CN103484938A
- 公开(公开)日：2014.01.01
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 单斜相Ga2S3晶体的制备方法及其在光学上的应用 | ||
| 申请号 | CN201210526093.2 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103484938A | 公开（授权）日 | 2014.01.01 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 发明（设计）人 | 张明建;郭国聪;曾卉一;姜小明;范玉航;刘彬文 |
| 主分类号 | C30B29/46(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/46(2006.01)I;C30B1/10(2006.01)I;C01G15/00(2006.01)I;G02F1/355(2006.01)I;G02F1/37(2006.01)I;G02F1/39(2006.01)I |
| 专利有效期 | 单斜相Ga2S3晶体的制备方法及其在光学上的应用 至单斜相Ga2S3晶体的制备方法及其在光学上的应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明提供一种单斜相的高温固相硼硫化制备方法，包括如下步骤：Ga2O3、B和S按照1：2：3的摩尔比例混合研磨，压片装入真空石英管，以30～40℃/h的速率升温至850-980℃，恒温48-144小时，再以2～6℃/h的速率降温至250℃，洗掉副产物B2O3（优选用热水洗涤），制得单斜相Ga2S3微晶。本发明还提供一种单斜相Ga2S3晶体作为红外波段二阶非线性晶体材料的应用。该晶体具有大的非线性光学系数，倍频信号约为KTP的0.7倍，且在1910nm处相位匹配，在1064nm下激光损伤阈值为174MW/cm2，高于AGS和LIS，可作为良好的非线性光学晶体材料。 | ||
交易流程
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