专利详情

专利名称	用于制备埋入式薄膜电阻的活化剂、埋入式薄膜电阻的制备方法及埋入式薄膜电阻
申请号	CN201310398877.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103484840A	公开（授权）日	2014.01.01
申请（专利权）人	中国科学院深圳先进技术研究院	发明（设计）人	孙蓉;苏星松;符显珠;郭慧子
主分类号	C23C18/30(2006.01)I	IPC主分类号	C23C18/30(2006.01)I;C23C18/34(2006.01)I;H01C7/00(2006.01)I
专利有效期	用于制备埋入式薄膜电阻的活化剂、埋入式薄膜电阻的制备方法及埋入式薄膜电阻至用于制备埋入式薄膜电阻的活化剂、埋入式薄膜电阻的制备方法及埋入式薄膜电阻	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种用于制备埋入式薄膜电阻的活化剂、埋入式薄膜电阻的制备方法及埋入式薄膜电阻。该用于制备埋入式薄膜电阻的活化剂包括水、硫酸锌、DL-苹果酸钠和锌粉，其中，所述硫酸锌的浓度为20～200g/L、所述DL-苹果酸钠的浓度为10～50g/L、所述锌粉的浓度为5～30g/L。该活化剂不含有氯和钯。经实验证明，采用该活化剂对衬底进行活化后，能够在较低温度下在衬底上化学镀制镍磷薄膜，能耗较低，且不在化学镀液中引入氯，保证了镀液的稳定性。使用上述活化剂进行活化，有利于降低埋入式薄膜电阻的制备成本，并由于保证了镀液的稳定性，有利于保证镍磷薄膜的质量，从而保证埋入式薄膜电阻具有较好的性能。