专利详情

专利名称	一种二氧化硅介电材料用化学机械抛光液及其制备方法
申请号	CN201310419636.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103484024A	公开（授权）日	2014.01.01
申请（专利权）人	上海新安纳电子科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	梁晨亮;王良咏;宋志棠;刘卫丽;秦飞
主分类号	C09G1/02(2006.01)I	IPC主分类号	C09G1/02(2006.01)I
专利有效期	一种二氧化硅介电材料用化学机械抛光液及其制备方法至一种二氧化硅介电材料用化学机械抛光液及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种二氧化硅介电材料用化学机械抛光液，以所述化学机械抛光液的总重量为基准计，包含以下重量百分比的组分：氧化物抛光颗粒1-50wt%；余量为pH调节剂和水性介质；其中所述氧化物抛光颗粒为胶体二氧化硅；制备过程中：先制备硅酸水溶液，然后取所述硅酸水溶液加热至沸15-60min，继而3分钟内“速冷”至20~50℃，然后重新加热至沸，然后持续滴入前述制备的硅酸水溶液制得胶体二氧化硅溶液，然后过滤、浓缩得到硅溶胶；继而加水性介质稀释并用pH调节剂调节酸碱性即制得所述化学机械抛光液；将所述抛光液应用于半导体中氧化硅介电材料的CMP工艺领域中，具有大大提高氧化硅薄膜去除速率的特点。