专利详情

专利名称	太阳电池器件的背电极及其制备方法以及太阳电池器件
申请号	CN201310423223.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103474484A	公开（授权）日	2013.12.25
申请（专利权）人	深圳先进技术研究院;香港中文大学	发明（设计）人	宋秋明;李朝晖;谭兴;顾光一;陈旺寿;肖旭东
主分类号	H01L31/0224(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	太阳电池器件的背电极及其制备方法以及太阳电池器件至太阳电池器件的背电极及其制备方法以及太阳电池器件	法律状态	著录事项变更
说明书摘要	本发明涉及一种太阳电池器件的背电极及其制备方法以及太阳电池器件。该太阳电池的背电极包括金属导电层和层叠于所述金属导电层上的氧化铝钝化层，所述氧化铝钝化层上具有多个纳米尺寸的孔洞。金属导电层作为太阳电池器件的“+”极，收集并传输电流。氧化铝钝化层抑制表面载流子复合，多个纳米孔洞形成电流通道，收集和导通电流，这种复合结构的背电极既发挥了氧化铝钝化层的钝化作用，又不妨碍光生电流的通过，达到降低界面缺陷态密度，降低光生载流子的表面复合速率，提高太阳电池器件的光电转化效率的效果。