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一种选择性发射极锑化镓红外电池及其制备方法

  • 申请号:CN201310419829.0
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学技术大学
  • 公开(公开)号:CN103474501A
  • 公开(公开)日:2013.12.25
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种选择性发射极锑化镓红外电池及其制备方法
申请号 CN201310419829.0 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN103474501A 公开(授权)日 2013.12.25
申请(专利权)人 中国科学技术大学 发明(设计)人 汤亮亮;叶宏
主分类号 H01L31/0693(2012.01)I IPC主分类号 H01L31/0693(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L25/04(2006.01)I;H01L31/0216(2006.01)I;H01L31/042(2006.01)I;H01L31/052(2006.01)I
专利有效期 一种选择性发射极锑化镓红外电池及其制备方法 至一种选择性发射极锑化镓红外电池及其制备方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明公开了一种选择性发射极锑化镓红外电池及其制备方法,包括锌扩散法制备PN结、制备电极、表面钝化、制备减反射层等步骤;特征是采用锌-镓合金作为扩散源进行密封式锌扩散在N型锑化镓晶片中形成仅具有单扩散前沿的锌浓度曲线。采用本发明的方法可以有效遏制扩散后锑化镓晶片表面的高浓度扩散层,解决传统扩散过程后精确腐蚀难以控制的问题;采用本发明的方法在制备PN结的过程中不需要通入任何保护气体,降低了锑化镓电池的成本;采用本发明方法制备的本发明的选择性发射极锑化镓红外电池,其内部的单扩散前沿锌曲线通过扩散直接形成,无需采用腐蚀过程,因此其电学输出性能稳定,可用于红外光电转换系统中作为电能转换元件。

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