专利详情

专利名称	带补偿功能的多通道ISFET传感器读出电路
申请号	CN201210186726.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103472114A	公开（授权）日	2013.12.25
申请（专利权）人	中国科学院电子学研究所	发明（设计）人	吴其松;杨海钢;程小燕;尹韬
主分类号	G01N27/414(2006.01)I	IPC主分类号	G01N27/414(2006.01)I
专利有效期	带补偿功能的多通道ISFET传感器读出电路至带补偿功能的多通道ISFET传感器读出电路	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种带补偿功能的多通道ISFET传感器阵列的读出电路。该读出电路用于检测待测溶液中的离子浓度，其包括多个ISFET传感器读出电路，每个ISFET传感器读出电路构成一个检测通道，所述每个ISFET传感器读出电路具有补偿端口，该补偿端口用于接收由外部系统提供的补偿信号，以对所述ISFET传感器的非理想特性进行修正。本发明采用多通道检测方式，能够对ISFET阵列传感器的多种参数进行快速检测，检测方式可根据系统需要进行并行或串行输出。