专利详情

专利名称	共轭距可变的光刻投影物镜、光刻方法
申请号	CN201310422537.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103472574A	公开（授权）日	2013.12.25
申请（专利权）人	中国科学院上海光学精密机械研究所	发明（设计）人	蔡燕民;司徒国海;步扬;王向朝;黄惠杰
主分类号	G02B13/22(2006.01)I	IPC主分类号	G02B13/22(2006.01)I;G02B7/02(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I
专利有效期	共轭距可变的光刻投影物镜、光刻方法至共轭距可变的光刻投影物镜、光刻方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种共轭距可变的光刻投影物镜、光刻方法，该共轭距可变的光刻投影物镜的构成沿物平面至像平面的光轴方向顺次包括由第一透镜、第二透镜、第二透镜、第三透镜、第四透镜和第五透镜构成的第一组合透镜组、孔径光阑、由第六透镜、第七透镜和第八透镜构成的第二组合透镜组，第一组合透镜组的后焦点、孔径光阑的中心和第二组合透镜组的前焦点三者重合构成双远心光路。本发明可以有效地实现待曝光HDI基板厚度变化达到0.025mm～3mm，可以有效的在共轭距变化范围内很好地校正波像差、畸变等，实现良好的成像质量。