专利详情

专利名称	超薄膜场效应晶体管传感器及其应用
申请号	CN201310384397.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103472116A	公开（授权）日	2013.12.25
申请（专利权）人	中国科学院化学研究所	发明（设计）人	孟青;张凤娇;臧亚萍;邹业;狄重安;胡文平;朱道本
主分类号	G01N27/414(2006.01)I	IPC主分类号	G01N27/414(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I
专利有效期	超薄膜场效应晶体管传感器及其应用至超薄膜场效应晶体管传感器及其应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种超薄膜场效应晶体管及其应用。该晶体管传感器，包括栅极层、绝缘层、有机传感层、源电极和漏电极；所述晶体管传感器的结构为如下结构a（底栅顶接触式）或b（底栅底接触式）：结构a：所述绝缘层位于所述栅极层之上；所述有机传感层位于所述绝缘层之上；所述源电极和漏电极位于同一层，且均位于所述有机传感层之上。构成所述有机传感层的材料为式I所示化合物。该晶体管传感器在常温下即可对氨气做出快速、灵敏的传感响应，选择性高、可恢复，检测限达到0.1ppm，是目前最灵敏的氨气传感器之一，制作成本廉价、工艺简单、易于器件小型化和集成化，适合较大规模生产。式I。