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一种镧铁硅基室温磁制冷复合材料及制备方法

  • 申请号:CN201310378863.8
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院理化技术研究所
  • 公开(公开)号:CN103468226A
  • 公开(公开)日:2013.12.25
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种镧铁硅基室温磁制冷复合材料及制备方法
申请号 CN201310378863.8 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN103468226A 公开(授权)日 2013.12.25
申请(专利权)人 中国科学院理化技术研究所 发明(设计)人 沈俊;牛忠伟;蒋士冬;周贝;吴剑峰
主分类号 C09K5/14(2006.01)I IPC主分类号 C09K5/14(2006.01)I;H01F1/09(2006.01)I;H01F1/33(2006.01)I;B22F3/12(2006.01)I
专利有效期 一种镧铁硅基室温磁制冷复合材料及制备方法 至一种镧铁硅基室温磁制冷复合材料及制备方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 一种镧铁硅基室温磁制冷复合材料,其为由镧铁硅基化合物与高分子材料及助剂均匀混合,之后经模压和加热成型的复合材料;镧铁硅基化合物与高分子材料及助剂的重量份配比为10~500∶10∶0.1~1;其制备方法:将镧铁硅基粉末、高分子材料和助剂按上述比例均匀混合;之后装入磨具,用模压机冷压成型;再升温熔融粘结固化成型;其优点在于:在原有制备LaFeSi基化合物的基础上,解决了LaFeSi基磁制冷材料硬度大、脆性大、难于加工成型等问题;该室温磁制冷复合材料可与换热流体隔绝,防止磁制冷工质在使用过程中的氧化;利用模压成型的方法将复合材料一次压制成型,便于组装后形成高比表面积和低阻流通道磁制冷部件。

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