专利详情

专利名称	抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路
申请号	CN201310439034.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103475359A	公开（授权）日	2013.12.25
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	宿晓慧;毕津顺;罗家俊;韩郑生;郝乐
主分类号	H03K19/0948(2006.01)I	IPC主分类号	H03K19/0948(2006.01)I
专利有效期	抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路至抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路，包括：第一缓冲器，输入端连接输入信号，输出信号连接第一传输门数据输入端；第二缓冲器，输入端连接输入信号，输出信号连接第二传输门数据输入端；第一传输门的数据输出信号，连接第二传输门的数据输出端和第一反相器输入端；第一反相器输出信号连接第二反相器输入端，第一传输门中NMOS管和第二传输门中PMOS管栅极；第二反相器输出信号连接第一传输门中PMOS管和第二传输门中NMOS管栅极，并作为抗单粒子电路输出信号。本发明利用不同上/下拉能力的缓冲器分别滤除两类单粒子脉冲，通过控制传输门输出对应信号，具有MOS管数量少，抗单粒子瞬态脉冲能力强、滤除效果好等优点。