专利详情

专利名称	一种提高碳基半导体器件迁移率的衬底处理方法
申请号	CN201310414069.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103456604A	公开（授权）日	2013.12.18
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	史敬元;金智;麻芃;张大勇;彭松昂
主分类号	H01L21/02(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/02(2006.01)I
专利有效期	一种提高碳基半导体器件迁移率的衬底处理方法至一种提高碳基半导体器件迁移率的衬底处理方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种提高碳基半导体器件迁移率的衬底处理方法，该方法是利用硅烷偶联剂有机膜层来钝化和修饰碳基半导体器件衬底表面，具体包括以下步骤:将清洗后的衬底放入烘箱内120℃干燥处理20分钟;配制硅烷偶联剂溶液，利用有机溶剂溶解并稀释硅烷偶联剂，将要处理衬底浸入稀释液中;在氮气或者空气环境下，将浸润后的衬底加热至100℃～150℃，使硅烷偶联剂单体于衬底表面发生脱水缩合反应生成聚合体，从而在衬底表面形成硅烷偶联剂有机膜层。利用本发明，由于使用经过硅烷偶联剂处理过表面的衬底，所以减小了由于衬底表面极性散射和杂质吸附给石墨烯场效应器件所带来的不良影响，有效增加了器件载流子迁移率，提高了器件性能。