专利详情

专利名称	一种多孔氧化物半导体纳米薄膜制备方法
申请号	CN201310390421.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103451609A	公开（授权）日	2013.12.18
申请（专利权）人	中国科学院西安光学精密机械研究所	发明（设计）人	王浩静;李涛涛;王红飞;刘欢;杨利青;胡炜杰
主分类号	C23C14/34(2006.01)I	IPC主分类号	C23C14/34(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;G01N27/12(2006.01)I
专利有效期	一种多孔氧化物半导体纳米薄膜制备方法至一种多孔氧化物半导体纳米薄膜制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种多孔氧化物半导体纳米薄膜的制备方法。其技术方案是，使用共溅射技术，采用氧化物半导体靶材（或相应金属靶材）和造孔剂靶材，在Ar或者Ar、O2混合气氛下，在基底表面同时或者交替沉积薄膜，预制成具有氧化物／造孔剂两种物相的复合纳米薄膜。预制的复合薄膜在经过水洗后，造孔剂被溶解，得到多孔的纳米薄膜。最后将薄膜烘干，进行退火处理，能得到结晶性好、高取向、高孔隙度的纳米薄膜。