一种高质量石墨烯的分散和薄膜制备方法
- 申请号:CN201310371513.9
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院金属研究所
- 公开(公开)号:CN103449420A
- 公开(公开)日:2013.12.18
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种高质量石墨烯的分散和薄膜制备方法 | ||
| 申请号 | CN201310371513.9 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开(公告)号 | CN103449420A | 公开(授权)日 | 2013.12.18 |
| 申请(专利权)人 | 中国科学院金属研究所 | 发明(设计)人 | 裴嵩峰;黄坤;李峰;周光敏;闻雷;宋仁升;任文才;成会明 |
| 主分类号 | C01B31/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B31/04(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种高质量石墨烯的分散和薄膜制备方法 至一种高质量石墨烯的分散和薄膜制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及石墨烯领域,具体为一种高质量石墨烯的分散方法,以及利用相应的石墨烯分散液或浆料制备薄膜的方法。将石墨烯粉体或团聚态浆料加入到小分子胺化合物的溶液中进行分散处理,利用三类胺小分子化合物实现石墨烯的分散,分散液中,这些化合物分子依靠π-π相互作用与石墨烯结合,并且通过氨基质子化使石墨烯带电,依靠静电排斥作用阻止其团聚,从而实现石墨烯的稳定分散。利用上述分散液或浆料,通过喷涂、辊涂、刮涂等常规涂膜制备方法,即可在基材表面得到石墨烯薄膜。采用本发明可实现在多种溶剂中对碳氧原子比大于20的高质量石墨烯的高浓度有效分散,并且成膜干燥后无溶剂和分散剂残留。 | ||
交易流程
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