一种SiC基的新型纳米碳复合材料的制备方法
- 申请号：CN201210181890.1
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院大连化学物理研究所
- 公开(公开)号：CN103447097A
- 公开(公开)日：2013.12.18
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种SiC基的新型纳米碳复合材料的制备方法 | ||
| 申请号 | CN201210181890.1 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103447097A | 公开（授权）日 | 2013.12.18 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 发明（设计）人 | 包信和;李星运;周永华;潘秀莲 |
| 主分类号 | B01J32/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B01J32/00(2006.01)I;B01J27/224(2006.01)I;B01J27/24(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种SiC基的新型纳米碳复合材料的制备方法 至一种SiC基的新型纳米碳复合材料的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种新型高比表面积SiC基的新型纳米碳复合材料制备方法。通过选择合成温度、气氛、不同催化剂，可实现在SiC表面控制生长出一层或多层不同厚度的碳层，且该碳层的形貌和结构特点随合成条件不同而不同。本发明实现了基于SiC的C-SiC复合材料的合成，该复合材料同时具有碳材料与SiC的优势，可应用于催化和吸附中。 | ||
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