纳米孔阵列的制作方法
- 申请号：CN201210177735.2
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN103449355A
- 公开(公开)日：2013.12.18
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 纳米孔阵列的制作方法 | ||
| 申请号 | CN201210177735.2 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103449355A | 公开（授权）日 | 2013.12.18 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 董立军;赵超 |
| 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
| 专利有效期 | 纳米孔阵列的制作方法 至纳米孔阵列的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明提供了一种纳米孔阵列的制造方法，包括：施加第一腐蚀液，在基材的两面形成不穿通的多个凹槽或者盲孔；在基材的两面上施加酸碱性不同的第二腐蚀液和第三腐蚀液，继续腐蚀凹槽或者盲孔直至其相互穿通，第二腐蚀液与第三腐蚀液发生中和而停止腐蚀，最终形成纳米孔阵列。依照本发明的纳米孔阵列的制造方法，通过在预先制备好盲孔的基材两面分别施加酸碱性不同的腐蚀液，利用酸碱中和的化学自停止来控制纳米孔的腐蚀，具有简单低成本并且高效率的优点。 | ||
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