专利详情

专利名称	一种半导体探测器及其制造方法
申请号	CN201110247447.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102361027A	公开（授权）日	2012.02.22
申请（专利权）人	中国科学院苏州生物医学工程技术研究所	发明（设计）人	代秋声
主分类号	H01L25/04(2006.01)I	IPC主分类号	H01L25/04(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/115(2006.01)I
专利有效期	一种半导体探测器及其制造方法至一种半导体探测器及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种半导体探测器及其制造方法，半导体探测器包括多个线阵探测器，线阵探测器包括第一侧面、第二侧面、与第一侧面相对的第三侧面、与第二侧面相对的第四侧面及连接第一、第二、第三与第四侧面的第一底面和第二底面。第一侧面和第三侧面上分别设置有负电极和正电极。多个线阵探测器沿第一侧面的法线方向相互叠置构成所述半导体探测器，且相邻的线阵探测器之间设置有绝缘层。本发明的半导体探测器将电极设置于线阵探测器中相对的侧面上，可解决因半导体探测器的厚度增加而使电子-空穴对漂移距离增长的问题，使半导体阵列探测器在较宽的能量范围内同时拥有高计数率和高探测效率。本发明另外提供一种半导体探测器的制造方法。