一种生长碲化铋纳米薄膜的热壁外延装置
- 申请号：CN201320218528.7
- 专利类型：实用新型
- 申请（专利权）人：中国科学院上海技术物理研究所
- 公开(公开)号：CN203320181U
- 公开(公开)日：2013.12.04
- 法律状态：
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专利详情
| 专利名称 | 一种生长碲化铋纳米薄膜的热壁外延装置 | ||
| 申请号 | CN201320218528.7 | 专利类型 | 实用新型 |
| 公开（公告）号 | CN203320181U | 公开（授权）日 | 2013.12.04 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 郭建华;邓惠勇;邱锋;孙艳;李小南;俞国林;戴宁 |
| 主分类号 | C30B23/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B23/02(2006.01)I;C30B29/46(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种生长碲化铋纳米薄膜的热壁外延装置 至一种生长碲化铋纳米薄膜的热壁外延装置 | 法律状态 | |
| 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种生长碲化铋纳米薄膜的热壁外延装置。该装置包括真空腔体、生长炉、气氛补偿炉、衬底支架、不锈钢挡板、生长石英管和带孔石英挡板：生长炉包括补偿源炉体、生长源炉体和热壁炉体。生长炉内放入装有石英挡板的生长石英管。气氛补偿炉是单温区炉，为生长结束后降温的外延薄膜提供一个补偿气氛。采用此装置能够外延生长具有化学计量比的单晶碲化铋纳米薄膜。 | ||
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