低功耗电阻式随机存储器的存储单元及其制备方法
- 申请号：CN201310347810.X
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院上海硅酸盐研究所
- 公开(公开)号：CN103427021A
- 公开(公开)日：2013.12.04
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 低功耗电阻式随机存储器的存储单元及其制备方法 | ||
| 申请号 | CN201310347810.X | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103427021A | 公开（授权）日 | 2013.12.04 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 王群;陈立东 |
| 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I;B82Y10/00(2011.01)I |
| 专利有效期 | 低功耗电阻式随机存储器的存储单元及其制备方法 至低功耗电阻式随机存储器的存储单元及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及一种低功耗电阻式随机存储器的存储单元及其制备方法，所述存储单元由顶电极、存储材料/有机分子复合物层、底电极及衬底组成，所述存储材料/有机分子复合物层为通过分子插层技术在层状电阻存储材料的分子层之间插入有机分子形成的复合物层，所述层状电阻存储材料为层状的氧化物或硫族化合物，所述有机分子为烷基胺、聚苯胺、聚吡咯或聚噻吩。 | ||
交易流程
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