专利详情

专利名称	硅基锗激光器及其制备方法
申请号	CN201310342715.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103427332A	公开（授权）日	2013.12.04
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	刘智;成步文;李传波;李亚明;薛春来;左玉华;王启明
主分类号	H01S5/22(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/22(2006.01)I
专利有效期	硅基锗激光器及其制备方法至硅基锗激光器及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种硅基锗激光器及其制备方法。该硅基锗激光器包括：硅材料，具有相应的晶向；锗层，外延生长于硅材料上，包括：锗脊形波导，由刻蚀锗层形成，构成全部或部分的激光谐振腔；p型掺杂区和n型掺杂区，位于锗脊形波导的两侧；p型掺杂区、锗脊形波导和n型掺杂区形成横向p-i-n二极管结构；绝缘介质层，形成于锗脊形波导、p型掺杂区和n型掺杂区的上方；以及p电极和n电极，形成于绝缘介质层的上方，分别与p型掺杂区和n型掺杂区电性连接。本发明采用水平横向p-i-n锗脊形波导结构，硅衬底不需要掺杂，在硅衬底上外延生长的锗层可以有很好的晶体质量，从而有利于硅基锗激光器整体性能的提升。