一种具高折射率与力学强度LED封装材料用改性纳米二氧化硅及制备方法
- 申请号:CN201310320538.6
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中科院广州化学有限公司
- 公开(公开)号:CN103408798A
- 公开(公开)日:2013.11.27
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种具高折射率与力学强度LED封装材料用改性纳米二氧化硅及制备方法 | ||
| 申请号 | CN201310320538.6 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开(公告)号 | CN103408798A | 公开(授权)日 | 2013.11.27 |
| 申请(专利权)人 | 中科院广州化学有限公司 | 发明(设计)人 | 刘伟区;韩敏健;王政芳;马子淇;闫振龙;高南;罗广建 |
| 主分类号 | C08K9/06(2006.01)I | IPC主分类号 | C08K9/06(2006.01)I;C08K3/36(2006.01)I;C08L83/07(2006.01)I;C08L83/05(2006.01)I;H01L33/56(2010.01)I |
| 专利有效期 | 一种具高折射率与力学强度LED封装材料用改性纳米二氧化硅及制备方法 至一种具高折射率与力学强度LED封装材料用改性纳米二氧化硅及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明属于有机硅LED封装材料领域,公开了一种具高折射率与力学强度LED封装材料用改性纳米二氧化硅及其制备方法。制备按照以下步骤:按重量份数计,气相纳米二氧化硅50份、乙烯基硅氧烷单体0.5~30份、苯基硅氧烷单体1~25份、催化剂A0.05~10份和有机溶剂500~1000份混合均匀后,在30℃~110℃磁力搅拌下反应1h~12h,离心,取下层沉淀物,在真空烘箱中于30℃~100℃下,干燥12h~72h,得到改性纳米二氧化硅。此方法制备的改性的纳米二氧化硅作为LED基胶的增强材料,能够在提高封装材料力学性能的同时,能够有效的降低甚至基本消除因为折光率引起的透明性下降的问题。 | ||
交易流程
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