专利详情

专利名称	硅基半导体超短脉冲激光器
申请号	CN201310357340.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103414106A	公开（授权）日	2013.11.27
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	丁颖;倪海桥;李密锋;喻颖;查国伟;徐建新;王莉娟;牛智川
主分类号	H01S5/343(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/343(2006.01)I
专利有效期	硅基半导体超短脉冲激光器至硅基半导体超短脉冲激光器	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种硅基半导体超短脉冲激光器，包括：一硅衬底、一缓冲层、一下光限制包层、一下势垒、一有源层、一上势垒、一上光限制包层和一欧姆接触层；其中该缓冲层、下光限制包层、下势垒、有源层、上势垒、上光限制包层和欧姆接触层依次制作在硅衬底上；所述下光限制包层、下势垒、有源层、上势垒、上光限制包层和欧姆接触层为半导体激光器外延结构；其中在欧姆接触层的表面向下开有沟槽，该沟槽中填充有二氧化硅材料，该沟槽的一侧为半导体放大器，另一侧为可饱和吸收体结构。本发明可以很好地解决目前半导体超短脉冲激光器主要以GaAs或InP为衬底，无法和硅基微电子集成的问题。