专利详情

专利名称	一种具有隔离层的复合衬底及其制造方法
申请号	CN201310286462.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103413776A	公开（授权）日	2013.11.27
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	陈弘;贾海强;江洋;王文新;马紫光;王禄;李卫
主分类号	H01L21/762(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/762(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I
专利有效期	一种具有隔离层的复合衬底及其制造方法至一种具有隔离层的复合衬底及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种具有隔离层的复合衬底的制造方法，包括：1）在硅基底上形成具有露出该硅基底的开口的第一子隔离层；2）利用横向生长法在第一子隔离层和所述硅基底上形成硅薄膜构成的种子层；3）在种子层上形成掩膜，覆盖所述开口之间的部分种子层；4）将种子层热氧化为二氧化硅层以作为第二子隔离层，其中所述掩膜的熔点高于热氧化种子层的温度；5）去除掩膜，露出被所述掩膜覆盖的部分种子层，以作为种子区。