一种碲化铋基热电器件及其制备方法
- 申请号：CN201310376295.8
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院上海硅酸盐研究所
- 公开(公开)号：CN103413889A
- 公开(公开)日：2013.11.27
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种碲化铋基热电器件及其制备方法 | ||
| 申请号 | CN201310376295.8 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103413889A | 公开（授权）日 | 2013.11.27 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 柏胜强;李菲;吴汀;黄向阳;陈立东 |
| 主分类号 | H01L35/08(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L35/08(2006.01)I;H01L35/32(2006.01)I;H01L35/34(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种碲化铋基热电器件及其制备方法 至一种碲化铋基热电器件及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及一种碲化铋基热电器件及其制备方法，所述碲化铋基热电器件包括：碲化铋基质层、通过电弧喷涂、等离子喷涂、电镀或化学镀形成于所述碲化铋基质层上的减阻层、以及通过电弧喷涂依次形成于所述减阻层上的阻挡层、应力缓冲层、和电极层。本发明提供的碲化铋基热电器件具有低界面接触电阻率、高界面稳定性且工艺简单稳定的特点。 | ||
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