专利详情

专利名称	一种SOI_MOSFET的热阻提取方法
申请号	CN201310339890.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103411997A	公开（授权）日	2013.11.27
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	卜建辉;李莹;毕津顺;李书振;罗家俊;韩郑生
主分类号	G01N25/20(2006.01)I	IPC主分类号	G01N25/20(2006.01)I
专利有效期	一种SOI_MOSFET的热阻提取方法至一种SOI_MOSFET的热阻提取方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种SOI_MOSFET的热阻提取方法，该方法包括以下步骤：设计一种器件，所述器件的栅结构的两端都引出连线；在不同温度下测试所述栅结构的电阻，获得其电阻随温度变化的特性；在常温下，使所述器件处于工作状态，测试此时所述栅结构的电阻；将所述栅结构在常温工作状态下的电阻代入温度变化特性中，得到工作状态下器件的真实温度，进而求出热阻。与现有技术相比，采用本发明提供的技术方案具有如下优点：通过利用栅电阻的温度特性来提取器件的热阻，简单易行，避免了使用PIV设备带来成本过高的问题。