专利详情

专利名称	红外焦平面器件高密度微细铟柱端面整平的制备方法
申请号	CN201310325942.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103413814A	公开（授权）日	2013.11.27
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	朱建妹;王建新
主分类号	H01L27/146(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/146(2006.01)I
专利有效期	红外焦平面器件高密度微细铟柱端面整平的制备方法至红外焦平面器件高密度微细铟柱端面整平的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种红外焦平面器件高密度微细铟柱端面整平的制备方法，该铟柱端面整平的特征是：下刀定位，通过调节旋钮推动上下移动导轨微调下刀，刀口下落到芯片光刻胶的表面，锁住锁定钮，以及平移芯片，旋动平台调节旋钮带动平台移动导轨链动芯片夹具平台及芯片一起平移。本发明的最大优点是：芯片平移及刀口的刮蹭铟柱端面平整、光亮、均匀性好，铟柱直径在10～12微米，中心距为6～10微米，铟柱高度可达8微米。