专利详情

专利名称	一种基于双层胶技术的掩模平坦化方法
申请号	CN201310361799.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103399461A	公开（授权）日	2013.11.20
申请（专利权）人	中国科学院光电技术研究所	发明（设计）人	罗先刚;王长涛;赵泽宇;王彦钦;沈同圣;刘玲;胡承刚;黄成;杨磊磊;潘思洁;崔建华;赵波
主分类号	G03F7/00(2006.01)I	IPC主分类号	G03F7/00(2006.01)I;G03F7/16(2006.01)I;G03F7/26(2006.01)I
专利有效期	一种基于双层胶技术的掩模平坦化方法至一种基于双层胶技术的掩模平坦化方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种基于双层胶技术的掩模平坦化方法，其主要步骤为：在平面或者曲面基底上沉积铬膜层并制备掩模图形，之后在其上先后涂敷光刻胶A和光刻胶B，采用中心波长为365nm的紫外曝光光源从基底的背面入射，使光刻胶B感光，利用光刻胶A在光刻胶B显影液中的溶解速率大于光刻胶B在光刻胶B显影液中的显影速率的特性形成侧向沟槽，再利用电子束蒸镀沉积二氧化硅，厚度和掩模铬层厚度相等。将掩模浸泡于有机溶剂中去除A、B光刻胶，最后得到平坦化的掩模。该方法可以应用到一体式曝光器件的掩模平坦化工艺中，如Superlens和缩小Hyperlens器件的掩模平坦化工艺。