专利详情

专利名称	一种用于制备金属/介质纳米多层膜高质量断面的方法
申请号	CN201310340709.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103399459A	公开（授权）日	2013.11.20
申请（专利权）人	中国科学院光电技术研究所	发明（设计）人	罗先刚;赵泽宇;王彦钦;王长涛;沈同圣;刘利芹;胡承刚;黄成;杨磊磊;潘思洁;崔建华;赵波
主分类号	G03F7/00(2006.01)I	IPC主分类号	G03F7/00(2006.01)I
专利有效期	一种用于制备金属/介质纳米多层膜高质量断面的方法至一种用于制备金属/介质纳米多层膜高质量断面的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种用于制备金属/介质纳米多层膜高质量断面的方法，其步骤为：在基底上制备平面或曲面金属/介质纳米多层膜；在多层膜上旋涂光刻胶，前烘，得到样片；用玻璃刀在样片背面划痕，掰断，得到多层膜粗糙断面；在断口边缘处进行掩模移动曝光；显影、坚膜，得到截面边缘平整的光刻胶掩蔽层；坚膜后的样片放入离子束刻蚀设备中，选择合适的离子束流和角度进行刻蚀；刻蚀后，取出样片，去除样片上剩余的光刻胶，金属/介质纳米多层膜高质量断面制作完成。基于离子束流刻蚀制备金属/介质纳米多层膜断面的方法，能得到边缘整齐、低缺陷的金属/介质纳米多层膜高质量断面。