专利详情

专利名称	气体辅助型有机场效应晶体管传感器及其制备方法与应用
申请号	CN201310334156.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103399072A	公开（授权）日	2013.11.20
申请（专利权）人	中国科学院化学研究所	发明（设计）人	狄重安;臧亚萍;张凤娇;孟青;朱道本
主分类号	G01N27/414(2006.01)I	IPC主分类号	G01N27/414(2006.01)I
专利有效期	气体辅助型有机场效应晶体管传感器及其制备方法与应用至气体辅助型有机场效应晶体管传感器及其制备方法与应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种气体辅助型场效应晶体管传感器及其制备方法与应用。该有机场效应晶体管，包括栅电极层、绝缘层、源电极、漏电极、有机半导体层和气体接收层；为如下结构a或b：结构a：所述绝缘层位于所述栅电极层之上；所述有机半导体层位于所述绝缘层之上；所述源电极、漏电极和气体接收层位于同一层，且均位于所述有机半导体层之上；结构b：所述绝缘层位于所述栅电极层之上；所述源电极和漏电极位于所述绝缘层之上；所述有机半导体层覆盖所述源电极、漏电极及绝缘层上未被源电极和漏电极覆盖的区域；所述气体接收层位于所述有机半导体层之上。该晶体管可实现对不同气体的有效检测并制备多气体传感器，具有重要的应用价值。