专利详情

专利名称	红外半导体激光器有源区、半导体激光器及其制作方法
申请号	CN201310351168.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103401144A	公开（授权）日	2013.11.20
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	赵勇明;董建荣;李奎龙;孙玉润;曾徐路;于淑珍;赵春雨;杨辉
主分类号	H01S5/343(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/343(2006.01)I
专利有效期	红外半导体激光器有源区、半导体激光器及其制作方法至红外半导体激光器有源区、半导体激光器及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种红外半导体激光器的有源区，所述有源区包括量子阱结构，所述量子阱结构中势阱层的材料为InmGa1-mAs1-nBin，所述量子阱结构中势垒层的材料为InxGa1-xAs1-yBiy，其中m=0.48～0，n=0.04～0.34；x=0.48～0.54，y=0.04～0。本发明采用InxGa1-xAs1-yBiy材料作为半导体激光器有源区的材料，基于晶格匹配生长，能够兼容DBR、DFB及垂直腔面发射激光器等其它类型激光器结构，且激光器采用无Al结构提高了器件的性能及寿命。本发明还提供了半导体激光器及其制作方法。