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建立梳唇石斛离体持续开花体系的方法

  • 申请号:CN201310369919.3
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院昆明植物研究所
  • 公开(公开)号:CN103392608A
  • 公开(公开)日:2013.11.20
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 建立梳唇石斛离体持续开花体系的方法
申请号 CN201310369919.3 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN103392608A 公开(授权)日 2013.11.20
申请(专利权)人 中国科学院昆明植物研究所 发明(设计)人 何俊;张雪梅;程治英;李德铢
主分类号 A01H4/00(2006.01)I IPC主分类号 A01H4/00(2006.01)I
专利有效期 建立梳唇石斛离体持续开花体系的方法 至建立梳唇石斛离体持续开花体系的方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 提供建立梳唇石斛(Dendrobiumstrongylanthum?Rchb.f.)离体持续开花体系的方法,取梳唇石斛外植体,进行离体培养,培养温度为25±2℃,光照强度为20μmol/(m2·s),光照12h/d,基本培养基为1/2MS,诱导丛芽产生花序、花序切段培养及营养生长和生殖生长相互转换的培养基为1/2MS+BA0.5mg/L+NAA0.2mg/L+S3%或1/2MS+NAA0.5mg/L+PPP3330.2mg/L+S2%或1/2MS+NAA0.5mg/L+Ac0.05%+S2%,所有培养基PH值为5.8,加5.6g/L琼脂固化。

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