建立梳唇石斛离体持续开花体系的方法
- 申请号:CN201310369919.3
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院昆明植物研究所
- 公开(公开)号:CN103392608A
- 公开(公开)日:2013.11.20
- 法律状态:实质审查的生效
- 出售价格: 面议 立即咨询
专利详情
| 专利名称 | 建立梳唇石斛离体持续开花体系的方法 | ||
| 申请号 | CN201310369919.3 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开(公告)号 | CN103392608A | 公开(授权)日 | 2013.11.20 |
| 申请(专利权)人 | 中国科学院昆明植物研究所 | 发明(设计)人 | 何俊;张雪梅;程治英;李德铢 |
| 主分类号 | A01H4/00(2006.01)I | IPC主分类号 | A01H4/00(2006.01)I |
| 专利有效期 | 建立梳唇石斛离体持续开花体系的方法 至建立梳唇石斛离体持续开花体系的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 提供建立梳唇石斛(Dendrobiumstrongylanthum?Rchb.f.)离体持续开花体系的方法,取梳唇石斛外植体,进行离体培养,培养温度为25±2℃,光照强度为20μmol/(m2·s),光照12h/d,基本培养基为1/2MS,诱导丛芽产生花序、花序切段培养及营养生长和生殖生长相互转换的培养基为1/2MS+BA0.5mg/L+NAA0.2mg/L+S3%或1/2MS+NAA0.5mg/L+PPP3330.2mg/L+S2%或1/2MS+NAA0.5mg/L+Ac0.05%+S2%,所有培养基PH值为5.8,加5.6g/L琼脂固化。 | ||
交易流程
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