专利详情

专利名称	一种利用单面曝光机实现双面对准光刻的方法
申请号	CN201310342944.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103399465A	公开（授权）日	2013.11.20
申请（专利权）人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	发明（设计）人	王泰升;鱼卫星;卢振武;孙强
主分类号	G03F7/20(2006.01)I	IPC主分类号	G03F7/20(2006.01)I;G03F9/00(2006.01)I
专利有效期	一种利用单面曝光机实现双面对准光刻的方法至一种利用单面曝光机实现双面对准光刻的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种利用单面曝光机实现双面对准光刻的方法，属于光电技术及微纳加工技术领域，设计掩模板A和掩模板B，分别对应基片的表面a和表面b所需图形，在掩模板A上设计中心对称的内外两层对准标记，内层对准标记在基片尺寸范围内，首先利用掩模板A在基片的表面a进行光刻，接下来利用掩模板A在透明衬底表面进行光刻，将透明衬底上已做好光刻图形的表面与基片做好光刻图形的表面a相对，基片与衬底粘合后，利用掩模板B在基片表面b进行光刻，最后利用加热或溶解的方法将基片与透明衬底分离，得到具有双面对准图形的基片。借助透明衬底完成双面对准，实现利用普通的单面曝光机来实现双面光刻的问题，降低了双面光刻工艺成本。