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CCOS抛光工艺抑制不同频段误差能力的评价方法

  • 申请号:CN201310315171.9
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院光电技术研究所
  • 公开(公开)号:CN103395000A
  • 公开(公开)日:2013.11.20
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 CCOS抛光工艺抑制不同频段误差能力的评价方法
申请号 CN201310315171.9 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN103395000A 公开(授权)日 2013.11.20
申请(专利权)人 中国科学院光电技术研究所 发明(设计)人 王佳;范斌;万勇建;施春燕;卓彬;孟凯
主分类号 B24B49/00(2012.01)I IPC主分类号 B24B49/00(2012.01)I
专利有效期 CCOS抛光工艺抑制不同频段误差能力的评价方法 至CCOS抛光工艺抑制不同频段误差能力的评价方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明CCOS抛光工艺抑制不同频段误差能力的评价方法,所述方法的步骤如下:步骤S1:利用光学元件抛光前后的功率谱密度函数PSDbef、PSDaft,构建出平滑谱函数H与PSDaft、PSDbef的公式(1)PSDaft=(1-H)(1-H)*·PSDbef,其中(1-H)*为(1-H)的共轭,*为求共轭的运算符;步骤S2:根据复数运算法则,对公式(1)两边取模得到抛光后面形数据的功率谱密度函数表达式(2)PSDaft=|(1-H)|2·PSDbef;步骤S3:由于平滑谱函数H为去除函数归一化后的傅里叶变换,所以根据|H|<1,求解公式(2),构建出平滑谱函数H的公式(3)公式(3)将CCOS抛光工艺抑制不同频段误差的能力表示为频率的归一化函数,利用抛光前后得到的PSDbef、PSDaft计算平滑谱函数曲线,根据平滑谱函数曲线值的大小来评价CCOS抛光工艺抑制不同频段误差能力的大小。

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