专利详情

专利名称	硅基高迁移率Ⅲ-V/Ge沟道的CMOS制备方法
申请号	CN201310306968.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103390591A	公开（授权）日	2013.11.13
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	周旭亮;于红艳;李士颜;潘教青;王圩
主分类号	H01L21/8258(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/8258(2006.01)I
专利有效期	硅基高迁移率Ⅲ-V/Ge沟道的CMOS制备方法至硅基高迁移率Ⅲ-V/Ge沟道的CMOS制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种硅基高迁移率III-V/Ge沟道的CMOS制备方法，包括：在硅衬底上生长锗层；第一次退火后，在锗层上依次生长低温成核砷化镓层、高温砷化镓层、在生长半绝缘InGaP层和砷化镓盖层，形成样品；将样品的砷化镓盖层进行砷化镓抛光工艺，将样品进行第二次退火后生长nMOSFET结构；在nMOSFET结构的表面，选区ICP刻蚀，从nMOSFET结构向下刻蚀到锗层，形成凹槽，并在凹槽内及nMOSFET结构的表面PECVD生长二氧化硅层；在选区刻蚀的位置再次进行ICP刻蚀二氧化硅层到锗层，形成沟槽；清洗样品，采用超高真空化学气相沉积的方法，在沟槽内生长锗成核层和锗顶层；对锗顶层进行抛光，并去掉nMOSFET结构上的部分二氧化硅层；在nMOSFET结构和锗顶层上进行源、漏和栅的CMOS工艺完成器件的制备。