FinFET及其制造方法
- 申请号：CN201210141545.5
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN103390637A
- 公开(公开)日：2013.11.13
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | FinFET及其制造方法 | ||
| 申请号 | CN201210141545.5 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103390637A | 公开（授权）日 | 2013.11.13 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;何卫;梁擎擎;尹海洲;骆志炯 |
| 主分类号 | H01L29/423(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/423(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
| 专利有效期 | FinFET及其制造方法 至FinFET及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本申请公开了一种FinFET及其制造方法，该FinFET包括：蚀刻停止层，位于半导体衬底上；半导体鳍片，位于蚀刻停止层上；栅极导体层，沿着垂直于鳍片的延伸方向而延伸，并且至少覆盖半导体鳍片的两个侧面；栅极介质层，夹在栅极导体层和半导体鳍片之间；源区和漏区，位于半导体鳍片的两端；以及绝缘间隔层，在栅极介质层的下方与蚀刻停止层邻接，用于将栅极导体层与蚀刻停止层和半导体鳍片电隔离。该FinFET的鳍片高度大致等于用于形成半导体鳍片的半导体层的厚度。 | ||
交易流程
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选取所需
专利 -
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可交易 - 03 签订合同
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