专利详情

专利名称	一种半导体薄膜生长装置及其生长方法
申请号	CN201310315026.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103388177A	公开（授权）日	2013.11.13
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	刘兴昉;刘斌;郑柳;董林;刘胜北;闫果果;孙国胜;曾一平
主分类号	C30B25/16(2006.01)I	IPC主分类号	C30B25/16(2006.01)I;C30B25/14(2006.01)I;C30B29/64(2006.01)I;C30B29/16(2006.01)I
专利有效期	一种半导体薄膜生长装置及其生长方法至一种半导体薄膜生长装置及其生长方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种半导体薄膜生长设备及其生长方法，该生长设备适用于化学气相沉积工艺进行半导体薄膜的生长。所述半导体薄膜生长设备，其包括：载气装置、液态源装置、生长室、旁路以及真空系统，这些部件之间通过管道按一定的逻辑关系连结成一个整体；且每条管道可独立的打开或关闭。所述液态源装置包括多个源瓶，安装在一个惰性气体控制柜里，其中源瓶安装在恒温槽里，通过载气鼓泡法将液态源输送至生长室，并在生长室中进行化学反应合成所需半导体薄膜。所述载气直接通过主管道进入生长室，并通过打开或关闭旁路控制生长室气源，以达到控制薄膜生长以及切换过程中平衡生长室压力的目的。