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基于哈希表的存储器内建自修复系统及方法

  • 申请号:CN201210138501.7
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
  • 公开(公开)号:CN103390430A
  • 公开(公开)日:2013.11.13
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 基于哈希表的存储器内建自修复系统及方法
申请号 CN201210138501.7 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN103390430A 公开(授权)日 2013.11.13
申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 发明(设计)人 郭旭峰;于芳
主分类号 G11C29/12(2006.01)I IPC主分类号 G11C29/12(2006.01)I;G11C29/18(2006.01)I
专利有效期 基于哈希表的存储器内建自修复系统及方法 至基于哈希表的存储器内建自修复系统及方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明公开了一种基于哈希表的存储器内建自修复系统,该系统包括内建自修复BIST模块和内建冗余分析BIRA模块,其中:BIST模块,用于对存储器进行测试,将检测到的故障地址暂存在BIST模块中,并向BIRA模块输出故障地址;BIRA模块,用于判断访问地址是否为故障地址,并为故障地址分配冗余资源,进行故障地址重映射,从而完成对存储器的修复。本发明同时公开了一种基于哈希表的存储器内建自修复方法。利用本发明,地址比较效率高,从根本上解决了传统存储器内建自修复方法全搜索地址比较效率低,无法真正修复多故障存储器的缺点,且兼具占用面积小,功耗低的优点。

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