专利详情

专利名称	CdHgTe量子点溶液、CdHgTe量子点、双模态半导体纳米材料的制备方法及应用
申请号	CN201210572411.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103131420A	公开（授权）日	2013.06.05
申请（专利权）人	深圳先进技术研究院	发明（设计）人	蔡林涛;高笃阳;张鹏飞;贾静;胡德红;盛宗海;龚萍
主分类号	C09K11/89(2006.01)I	IPC主分类号	C09K11/89(2006.01)I;C09K11/02(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	CdHgTe量子点溶液、CdHgTe量子点、双模态半导体纳米材料的制备方法及应用至CdHgTe量子点溶液、CdHgTe量子点、双模态半导体纳米材料的制备方法及应用	法律状态	公开
说明书摘要	本发明提供一种CdHgTe量子点溶液、CdHgTe量子点、双模态半导体纳米材料的制备方法及双模态半导体纳米材料。一种CdHgTe量子点的制备方法，包括如下步骤：将碲溶解于有机膦中得到碲前体；将醋酸汞加入到含有氢氧化钾和十二硫醇的甲醇中反应得到沉淀，将沉淀干燥洗涤后溶于氯仿中得到汞前体；在氮气的保护下，将氧化镉、油胺、十四烷基磷酸及十八烯混合后加热至280℃~310℃，加入碲前体，降温至240℃~260℃反应得到反应液；及将反应液与丙酮混合后离心分离，将离心得到的沉淀物溶于氯仿中，加入汞前体反应两小时，加入正己烷和甲醇的混合液，离心后得到CdHgTe量子点溶液。上述CdHgTe量子点溶液的制备方法操作较为简单。