专利详情

专利名称	一种逆导型IGBT的背面版图布局
申请号	CN201220689587.8	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN202977426U	公开（授权）日	2013.06.05
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司	发明（设计）人	张文亮;田晓丽;朱阳军;卢烁今
主分类号	H01L29/739(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/739(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I
专利有效期	一种逆导型IGBT的背面版图布局至一种逆导型IGBT的背面版图布局	法律状态
说明书摘要	本实用新型公开了一种能够同时消除短路集电极型逆导IGBT产生的初次回跳和二次回跳的逆导型IGBT的背面版图布局，属于半导体器件技术领域。该背面版图布局，包括P+集电区、N+短路区和P+引导区，N+短路区和P+引导区向该逆导型IGBT的正面延伸后与栅极引线键合窗口无交集，其特征在于，P+集电区连续。该背面版图布局1）由于引入了P+引导区，所以能够消除短路集电极型逆导IGBT的初次回跳；2）由于P+集电区连续，使导通区域的扩展过程也是连续渐变的，所以能够避免由于突变性扩展引起的二次回跳。