专利详情

专利名称	磁性多层膜霍尔元件及其制备方法
申请号	CN201310055476.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103137850A	公开（授权）日	2013.06.05
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	朱涛
主分类号	H01L43/06(2006.01)I	IPC主分类号	H01L43/06(2006.01)I;H01L43/14(2006.01)I;B82Y25/00(2011.01)I;H01F10/08(2006.01)I
专利有效期	磁性多层膜霍尔元件及其制备方法至磁性多层膜霍尔元件及其制备方法	法律状态	公开
说明书摘要	本发明公开了一种磁性多层膜霍尔元件及其制备方法。所述磁性多层膜霍尔元件包括复合多层结构的磁性多层膜，所述磁性多层膜包括至少一个基本单元，每一所述基本单元包括非磁性金属化合物层MO、磁性金属材料层FM和非磁性金属材料层NM，其中，在所述基本单元中，所述非磁性金属化合物层MO和所述非磁性金属材料层NM分别设置在所述磁性金属材料层FM的两侧；所述非磁性金属材料层NM由选自Ta、Hf、Zr、Mo、Nb和W其中之一的金属形成，或由包含Ta、Hf、Zr、Mo、Nb和W其中至少一种元素的合金形成。本发明的磁性多层膜霍尔元件同时具有大霍尔电阻率，大纵向电阻率以及小矫顽力的特性，有望用于制备高性能的霍尔元件。