专利详情

专利名称	一种图形化全耗尽绝缘体上Si/CoSi₂衬底材料及其制备方法
申请号	CN201110383790.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103137537A	公开（授权）日	2013.06.05
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	张波;俞文杰;赵清太;狄增峰;张苗;王曦
主分类号	H01L21/762(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/762(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I
专利有效期	一种图形化全耗尽绝缘体上Si/CoSi₂衬底材料及其制备方法至一种图形化全耗尽绝缘体上Si/CoSi₂衬底材料及其制备方法	法律状态	公开
说明书摘要	本发明提供一种图形化全耗尽绝缘体上Si/CoSi2衬底材料及其制备方法，通过抬离（lift-on）技术制作图形化的金属Co层，然后使Co层与Si衬底两次反应生成CoSi2，通过刻蚀工艺可以控制不同区域的顶层硅厚度，以合理选择用于制备双极电路和用于制备CMOS电路的顶层硅厚度。最后通过智能剥离工艺对其进行转移，以在传统SOI衬底的BOX层和顶层硅之间的部分区域插入一层金属硅化物CoSi2，代替常规SOI双极晶体管中的集电区重掺杂埋层，未插入CoSi2的区域用以制造MOS器件，从而达到减少双极电路所需的顶层硅厚度、简化工艺等目的。本发明的工艺简单，适用于大规模的工业生产。

交易流程

1、源头对接，价格透明

2、平台验证，实名审核

3、合同监控，代办手续

4、专员跟进，交易保障

暂时还没有用户留言