专利详情

专利名称	湿法沉积和低温热处理相结合制备异质结太阳电池方法
申请号	CN201310080782.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103137791A	公开（授权）日	2013.06.05
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	俞健;邱羽;孟凡英;刘正新
主分类号	H01L31/18(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	湿法沉积和低温热处理相结合制备异质结太阳电池方法至湿法沉积和低温热处理相结合制备异质结太阳电池方法	法律状态	公开
说明书摘要	本发明涉及一种湿法沉积和低温热处理相结合制备异质结太阳电池方法，其特征在于在单面或双面透明导电层上湿法沉积金属栅线，然后低温热处理合金化；其中：①金属栅线至少包括位于所述的透明导电层之上的金属接触层和依次位于金属接触层上面的金属传导层和金属焊接层；②所述的湿法沉积包括：电沉积、光诱导沉积、化学沉积，或是其组合；③所述的低温热处理合金化，以形成良好的接触和粘附特性。本发明的优点是可实现无银或少银的金属栅线，降低成本，且低温下热处理与现有异质结太阳电池制备工艺匹配。总之，本发明无种子层电镀，金属接触层是一种具有特殊的温度特性的金属或合金，能在低于250℃热处理温度下与透明到点膜形成良好的接触与粘附特性。