离子注入机控制系统
- 申请号:CN201110391341.2
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号:CN103137413A
- 公开(公开)日:2013.06.05
- 法律状态:公开
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专利详情
| 专利名称 | 离子注入机控制系统 | ||
| 申请号 | CN201110391341.2 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开(公告)号 | CN103137413A | 公开(授权)日 | 2013.06.05 |
| 申请(专利权)人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明(设计)人 | 王蒙;李勇滔;赵章琰;李超波;夏洋 |
| 主分类号 | H01J37/317(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J37/317(2006.01)I |
| 专利有效期 | 离子注入机控制系统 至离子注入机控制系统 | 法律状态 | 公开 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种离子注入机控制系统,包括电源系统,反应腔室、预抽腔室、工控机,工控机,所述工控机控制所述反应腔室、预抽腔室的真空度、硅片反应过程及取片过程。本发明提供的一种离子注入机控制系统采用PXI标准,选用工控机与数据采集卡相结合的方式,构建了一种注入机的控制系统,具有高性能和扩展性强的特点。 | ||
交易流程
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