电子束曝光方法
- 申请号：CN201310076889.7
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 公开(公开)号：CN103135367A
- 公开(公开)日：2013.06.05
- 法律状态：公开
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专利详情
| 专利名称 | 电子束曝光方法 | ||
| 申请号 | CN201310076889.7 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103135367A | 公开（授权）日 | 2013.06.05 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 侯克玉;王逸群;姜春宇;王德稳;周震华 |
| 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F7/20(2006.01)I |
| 专利有效期 | 电子束曝光方法 至电子束曝光方法 | 法律状态 | 公开 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种电子束曝光方法，包括：s1、在待加工样品上涂覆一层底层电子束抗蚀剂；s2、在底层的电子束抗蚀剂上形成金属层；s3、在金属层上涂覆一层顶层电子束抗蚀剂；s4、电子束曝光，在顶层电子束抗蚀剂上面形成所需要的纳米尺寸的曝光图形；s5、用顶层电子束抗蚀剂做掩膜刻蚀金属层及底层电子束抗蚀剂，将曝光图形转移到待加工样品上。此种可以消除绝缘材料在电子束曝光过程中产生的电荷积累效应的方法，解决了常规工艺中不能在绝缘材料上进行电子束曝光的难题，可以很好在绝缘材料上实现纳米尺度图形的制作。 | ||
交易流程
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选取所需
专利 -
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确认专利
可交易 - 03 签订合同
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过户资料
平台保障
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