专利详情

专利名称	二氧化钛薄膜光阳极及其制备方法
申请号	CN201210580658.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103137339A	公开（授权）日	2013.06.05
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	邵君;杨松旺;李勇明;刘岩
主分类号	H01G9/20(2006.01)I	IPC主分类号	H01G9/20(2006.01)I;H01G9/042(2006.01)I
专利有效期	二氧化钛薄膜光阳极及其制备方法至二氧化钛薄膜光阳极及其制备方法	法律状态	公开
说明书摘要	本发明公开了一种二氧化钛薄膜光阳极及其制备方法。本发明的二氧化钛薄膜光阳极依次包括导电基底层、含有较小二氧化钛颗粒的高可见光透过率的透明第一层及含有较大二氧化钛颗粒和散射粒子的高可见光利用率的性能增强第二层。该方法是由锐钛矿型二氧化钛粉末经溶解、改性、热处理、分层，在上层含较小二氧化钛颗粒中加入添加剂A旋蒸成浆料进行涂覆烘干形成透明第一层，在下层含较大二氧化钛颗粒中再添加添加剂B和散射粒子再旋蒸成浆料进行涂覆烘干形成性能增强第二层。该种二氧化钛薄膜光阳极大大提高了染料敏化电池的光电转换效率，具有原料来源广泛、价格低廉、无需复杂的设备等优点，具有良好的工业化应用前景。