专利详情

专利名称	半导体器件及其制造方法
申请号	CN201110394014.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103137488A	公开（授权）日	2013.06.05
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	王桂磊
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I
专利有效期	半导体器件及其制造方法至半导体器件及其制造方法	法律状态	公开
说明书摘要	本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该制造方法包括以下步骤：提供衬底(100)，在所述衬底(100)之上形成伪栅堆叠和侧墙(230)，在伪栅堆叠的两侧形成源/漏区(110)，并形成覆盖整个半导体器件的停止层(240)以及第一层间介质层(300)；去除所述停止层(240)的一部分以暴露所述伪栅堆叠，继续去除所述伪栅堆叠，暴露沟道区；刻蚀所述沟道区，形成凹槽结构；在凹槽结构中形成新沟道区，与所述衬底(100)的上表面齐平，所述新沟道区从与衬底的交界面开始依次包括缓冲层、Ge层(120)和Si帽层；形成栅极堆叠。相应地，本发明还提供一种半导体器件。本发明通过使用Ge来代替Si形成新的沟道区，有效提高了载流子迁移率，提高了半导体器件的性能。