专利详情

专利名称	大尺寸LBO晶体的助溶剂生长方法
申请号	CN201110382095.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103132131A	公开（授权）日	2013.06.05
申请（专利权）人	中国科学院理化技术研究所	发明（设计）人	胡章贵;毛倩;岳银超
主分类号	C30B9/12(2006.01)I	IPC主分类号	C30B9/12(2006.01)I;C30B29/22(2006.01)I
专利有效期	大尺寸LBO晶体的助溶剂生长方法至大尺寸LBO晶体的助溶剂生长方法	法律状态	公开
说明书摘要	本发明是一种大尺寸LBO晶体的助溶剂生长方法，采用Li2O-MoO3-MF2生长体系作为助溶剂，其中MF2为二价金属氟化物。通过本发明可以有效地降低晶体的生长温度，其温度范围在650～730℃之间；可以极大减少体系的挥发度，提高了晶体生长过程中体系的稳定性，防止杂晶形成，提高了晶体的生长速度；可以明显降低溶液的粘度，较低的粘度有利于溶质传输，易于晶体的生长并且提高了晶体的生长质量；可以稳定地生长一系列大尺寸、高光学质量的LBO单晶，重量达到了800克以上，尺寸达到10厘米以上，如果使用大尺寸坩埚，适当延长生长周期，还可以获得相应更大尺寸的单晶体。