专利详情

专利名称	一种高折射率半导体表面减反钝化复合结构的制备方法
申请号	CN201110386560.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103132084A	公开（授权）日	2013.06.05
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	张瑞英
主分类号	C23F17/00(2006.01)I	IPC主分类号	C23F17/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	一种高折射率半导体表面减反钝化复合结构的制备方法至一种高折射率半导体表面减反钝化复合结构的制备方法	法律状态	公开
说明书摘要	本发明公开了一种半导体表面减反钝化复合结构的制备方法，包括步骤：Ⅰ.在半导体表面制备一层用于钝化表面的介质膜；Ⅱ.再在介质膜上制备基于高折射率介质材料的折射率渐变介质层，其中高折射率介质材料根据需要匹配的高折射率半导体材料及其需要减反的波长范围选为SiN、HfO2、TiO2、ZrO2、Ta2O5和Y2O3中的一种或者几种，介质膜与折射率渐变介质层组合为减反钝化复合结构。本发明提供的方法使得半导体表面非辐射复合减少，反射损耗减少，有效提高载流子收集效率，实现宽谱广角减反功能。